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Cassification
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CVD是一種薄膜沉積技術,以“化學氣相沉積"的縮寫命名,PVD是“物理氣相沉積"的縮寫。
由于 ALD 使用氣體,因此也稱為 CVD 的一種。然而,與 CVD 不同,CVD 中氣體分解產生的 SiO2 和 SiNx 等化合物會像灰塵一樣堆積,而 ALD 的不同之處在于它可以一次形成一層薄膜。
PVD是一種利用物理方法而不是氣體形成薄膜的技術。 PVD是在真空中對成膜材料進行加熱、濺射、離子束照射或激光照射,使成膜材料蒸發(fā)、分散成顆粒,然后附著沉積在目標物體上的方法。
當使用 ALD 沉積薄膜時,可以在比使用 CVD 和 PVD 沉積薄膜時更窄、更深的結構上沉積薄膜。特別是,ALD技術在尺寸為100納米或更小的孔隙上沉積薄膜時表現(xiàn)出優(yōu)異的涂覆能力。由于ALD氣體可以深入滲透形成薄膜,因此即使在具有許多小孔的物體上也具有涂覆能力的技術。
預計到 2028 年,全球 ALD 市場將達到 65 億美元。在目前的薄膜成型市場中,CVD占據(jù)了大部分。其中,ALD技術不僅在半導體器件的制造過程中發(fā)揮著非常重要的作用,而且還具有較高的沉積性能和生產速度。因此,ALD技術被認為是一個將持續(xù)增長并不斷發(fā)展其自身重要性的市場。
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